CX0603MRX7R9BB103 datasheet

CX0603MRX7R9BB103 datasheet скачать даташит

Сообщить об ошибке

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

О ДАТАШИТЕ

Маркировка

CX0603MRX7R9BB103
Производитель

YAGEO Corporation
Описание

YAGEO Corporation CX0603MRX7R9BB103 Applications: Bypass, Decoupling Capacitance: 10000pF Features: Low Inductance Lead Spacing: - Mounting Type: Surface Mount, MLCC Operating Temperature: -55?°C ~ 125?°C Package / Case: 0603 (1608 Metric) Ratings: - Series: X2Y?® Size / Dimension: 0.063" L x 0.034" W (1.60mm x 0.85mm) Temperature Coefficient: X7R Thickness: 0.60mm Tolerance: ?±20% Voltage - Rated: 50V, 63V Other Names: 311-1233-2
Количество страниц

1 шт.
Форматы файла

HTML, PDF
(Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)

Скачать datasheet CX0603MRX7R9BB103.pdf
Файл формата Pdf 7,26 KB

Все даташиты (технические описания) представлены в формате PDF с использованием Adobe Acrobat Reader, который Вы можете бесплатно скачать.

Сообщить об ошибке

Где можно купить

CX0603MRX7R9BB103Онлайн Компоненты

CX0603MRX7R9BB103ЭИК

CX0603MRX7R9BB103ТМ Электроникс

Разместить объявление

Новости электроники

<p>TrendForce сообщает об очередных изменениях на рынке флэш-памяти NAND. В том числе на него повлияло сокращение производства, предусмотренное стратегией компании Samsung. У многих пользователей были определенные опасения, ситуацию усложняла неопределенность, приводящая к медленным закупкам, при этом количество запасов сократилось.</p>

По мнению TrendForce ожидается очередной рост выручки от продаж флэш-памяти NAND

24.05.2024

<p>Компания Infineon Technologies AG выпустила новейший МОП-транзистор на основе карбида кремния (SiC), CoolSiC MOSFET 650V и 1200V Generation 2, который стал новым достижением в области технологий преобразования энергии. Эта технология нового поколения значительно улучшает ключевые показатели производительности, такие как накопленная энергия и заряд, на 20 процентов по сравнению с предшественниками, без снижения качества и надежности. Это улучшение способствует повышению энергоэффективности, что вносит вклад в более широкие усилия по декарбонизации.</p>

Infineon представляет усовершенствованный SiC MOSFET для повышения энергоэффективности

22.05.2024

Тайваньская академия наук, Academia Sinica, представила инновационный 5-битный сверхпроводящий квантовый компьютер, что является значительным достижением в области квантовых вычислений и укрепляет позиции Тайваня как одного из лидеров в этой быстро развивающейся сфере.

Тайвань продвигает квантовые вычисления с помощью нового 5-битного сверхпроводника

21.05.2024

Еще новости

Экспресс доставка электронных компонентов - Digikey, Newark, Mouser от 5 дней!

Экспресс доставка электронных компонентов

Digikey, Newark, Mouser от 5 дней!

Разместить объявление

Подписаться на новости

Хотите интересные новости электроники? Подпишитесь на рассылку наших новостей.